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大阪市立大学  工学部   Since 2010 11.01
 

 

 

実験装置の紹介

現在稼働中の装置名 仕様
高出力ダイオード励起固体CWグリーンレーザー スペクトラ・フィジックス社製 Millennia VVs-OPHi波長:532 nm,直線偏光,平均出力:8 W
低繰り返し周期・モード同期チタンサファイアレーザー 自家製.カーレンズモード同期方式を採用.パルス幅:30 fs,中心波長:800 nm,                                 繰り返し周期:10 MHz,パルスエネルギー:50 nJ
DPSSレーザー  AOTK社製,Sun-IR-2100,
中心波長:1064 nm,平均出力:108 mW
Nd:YAGレーザー スペクトラ・フィジックス社製,Quanta-Ray INDI Series
パルス幅:○ nJ,繰り返し周波数:10 Hz,
パルスエネルギー:○ mJ(@1064 nm),○ mJ(@532 nm),○ mJ(@355 nm),○ mJ(@266 nm),
He-Neレーザー NEC社製(?),GLG5700,
波長:633 nm,平均出力:15 mW(?),直線偏光
He-Neレーザー ○○社製,(製品番号),
波長:633 nm,平均出力:○ mW,直線偏光or無偏光
He-Neレーザー ○○社製,(製品番号),
波長:633 nm,平均出力:○ mW,直線偏光or無偏光
He-Neレーザー ○○社製,(製品番号),
波長:633 nm,平均出力:○ mW,直線偏光or無偏光
超高分解能小型マルチチャンネル分光器 オーシャンオプティックス社製,HR-2000
・受光素子:2048素子リニアシリコンCCDアレイ
・測定波長範囲:530〜1100 nm
・波長分解能:0.42 nm/5-umスリット幅
・ブレーズ波長:750nm,Lines/mm:600
・感度(参考):86 photons/counts, 2.9x10-17 J/counts
可視光用分光器 ORIEL社製(一部改良)
・受光素子:シリコンCCDアレイ,イメージインテンシファイア(浜松ホトニクス社製)
・波長領域:○○ nm〜○○ nm
・波長分解能:○○ nm(スリット幅:mm)
赤外光用分光器 ORIEL社製.
・波長領域:○○ nm〜○○ nm
・波長分解能:○○ nm(スリット幅:mm)
フーリエ分光器 ニコレージャパン(株).
形式:740
最高分解能:??? cm-1
測定波長: ???〜??? cm-1
検出器:DTGS
関連機器:赤外顕微鏡,ATR計測用光学素子
テラヘルツ時間領域分光システム 自家製.
波長領域:60 mm(5 THz)〜3 mm(0.1 THz),
周波数分解能:60 MHz(レーザーの繰り返し周期に依存)
空間分解能:1 mm(テラヘルツ波の集光部に試料を挿入した場合)
温度領域:4 K〜300 K(クライオスタット内に試料を固定して測定)
圧力計測:10-3 Pa〜130 Pa(ガスセルを使用して測定)
水銀カドミウムテルル(MCT)検出器 浜松ホトニクス社製.
ナノ秒光パルス検出器 自家製.高速PDと高速アンプを使用.時定数:○○ ns
ロックイン検出器 NF回路設計ブロック社製,LI-575
帯域:0.5 Hz〜200 kHz
ダイナミックリザーブ:100 dB
2位相
ロックイン検出器 SEIKO EG&G社製,5207
入力インピーダンス:100 kΩ
Gain: Switch selectable 1, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, plus x1.0/x0.01 range select
Filter: Four-pole lowpass filter, switch-selectable for 300Hz, 1kHz, 10kHz and Out
Output noise: 10 microvolts RMS RTI max, DC to 20kHz at G=1000
サンプリングモジュール テクトロニクス社製,80E04-DE
20GHz・2ch・TDR
ディジタルサンプリングオシロスコープ テクトロニクス社製,TDS-8000
ファンクションシンセサイザー エヌエフ回路設計ブロック社製,WAVE FACTORY WF1943A
・出力:1 CH
・帯域:0.01mHz 〜15MHz
・最大出力電圧:20 Vp-p
・正弦波, 方形波 (デューティ可変), 三角波, のこぎり波, 逆のこぎり波, ノイズの内蔵波形と,任意波形を出力.
微小電流計測器 アドバンテスト社製,R8240
・測定電流領域:10 fA〜20 mA
・入力インピーダンス:1013 Ω以上
・サンプリング速度:約28回/秒(60Hz)
直流電圧・電流発生器 アドバンテスト社製,R6243
・電圧:±32 V(±2A),±64 V(±1 A),±110 V(±0.5A)
・最小パルス幅:1 ms
・電流分解能:1 nA(発生),100 pA(測定)
ワイヤーグリッド製作機 自家製.
・ワイヤー径:6 mm〜100 mm
・グリッド間隔:>6 mm
・間隔精度:30 mm
ボンディングマシーン WEST・BOND社製,MODEL7400C
・オリンパス社製 ズーム式実体顕微鏡付き
・対応ワイヤー仕様:直径:18 mm〜50 mmの金線,及び,アルミ線
クライオスタット(一号機) ?特注品:4 K〜常温
・Heフリー
クライオスタット(二号機) 特注品:4 K〜常温
・Heフリー
クラスターPC 自家製.8機並列,
・CPU:PentiumW(○○GHz)
・メモリ:(○○MB)
・HD容量:(○○GB)
・HUB:
現在準備中の装置名 仕様
炭酸ガスレーザー 自家製.
波長可変(10.8 mm),平均出力:○○W,直線偏光
フェムト秒時間分解偏光画像化計測(FTOP)システム 自家製.
・時間分解能:50 fs
・空間分解能:○ mm
テラヘルツ時間分解分光システム 自家製(光科学研究所との共同製作).
・シングルショット計測可能
・時間分解能:〜1 ps
・分光領域:0.1〜3 THz
フェムト秒光パルス検出器 自家製.
BBO結晶を用いた自己相関波形検出光学系.
オシロスコープでの計測が可能.
時間分解能:10 fs.
空間光偏光変調器 自家製.液晶プロジェクターを使用.
光弾性変調器(一号機) 自家製.ZnSeを使用.可動範囲:○○nm〜○○μm
光弾性変調器(二号機) 自家製.800 nm対応
蒸着装置1号機 自家製.
蒸着装置2号機 自家製(物質制御分野の福田先生と共同製作).
 
   
   
   
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